高通公司周二宣布了其 Snapdragon W5+ Gen 1 和 W5 Gen 平台，称最新的硬件升级是可穿戴设备领域“迄今为止最先进的飞跃”。这也不仅仅是营销夸张。与Snapdragon 4100+平台相比，高通声称其性能是其两倍，电池寿命也大幅提升。

您会立即注意到的一件事是高通公司已经取消了其 Snapdragon Wear 品牌。高通在过去一年中简化了其品牌推广，当它应用于可穿戴设备时，新的 W5+ 和 W5 接过了接力棒。这两者都建立在尖端的 4 纳米制造工艺之上，与用于 Snapdragon Wear 4100+ 的 12 纳米节点相比，这是一个巨大的飞跃(在制造技术方面)。那是主芯片。W5+ Gen 1 通过包含一个 22nm 永远在线 (AON) 协处理器而获得“Plus”称号。

深入了解规格，主芯片包含四个Arm Cortex-A53 内核和一个 Cortex-M55 内核 (250MHz)，用于处理人工智能和机器学习工作负载。对于图形，有一个主频为 1GHz 的 Adreno 702 GPU，这代表了对高通用于其 Snapdragon Wear 4100+ 的主频为 320MHz 的 Adreno 504 GPU 的重大升级。四舍五入的是对 16GB LPDDR4-2133 RAM 的支持。

高通骁龙 W5 幻灯片

公平地说，高通本可以在其 W5 芯片组中使用更强大的内核，例如 Cortex-A55。然而，这里有相当多的可穿戴设备可用。根据高通的说法，它对其混合架构的改进实现了 2 倍的性能提升、2 倍的丰富功能和 50% 的低功耗，与上一代相比，所有这些都在小 30% 的封装中。

“这些平台专为下一代可穿戴设备而构建，通过提供超低功耗、突破性性能和高度集成的封装来满足最紧迫的消费者需求。此外，我们通过深度睡眠和深度睡眠等新的低功耗创新扩展了我们成熟的混合架构。 Hibernate 表示以优质的用户体验取悦消费者，同时延长电池寿命，”高通公司的 Pankaj Kedia 在一份声明中表示。